SK海力士、三星pg电子模拟器有望于年内先后启动1c纳米 DRAM内存量产

　　IT之家 4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星pg电子模拟器有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。

　　进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代，1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述，为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。

　　三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示，其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产；

　　而近日据行业消息人士透露，SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。

　　SK 海力士计划提前做好准备，在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊等主要客户供货。

　　对于三星pg电子模拟器和 SK 海力士，其下代内存产品有望提升 EUV 光刻使用量，在减小线宽pg电子模拟器、提升速率同时带来更好能效；

　　参考IT之家此前报道，美光将在 1-gamma 纳米节点首次引入 EUV 技术，预计 2025 年量产，目前已进行了试产。